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UF4C120053K4S +BOM

High-power switching device for DC-DC converters and motor drive

Produttore:

Qorvo
ProduttorePart #:

UF4C120053K4S
Scheda dati:

UF4C120053K4S Scheda dati (PDF)
Technology:

SiC
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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UF4C120053K4S Descrizione generale

N-Channel 1200 V 34A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-247-4

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	SiC
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	1.2 kV
Id - Continuous Drain Current	34 A	Rds On - Drain-Source Resistance	67 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	6 V
Qg - Gate Charge	37.8 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	263 W
Channel Mode	Depletion	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	30	Subcategory	MOSFETs

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