Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

TPM2323-60 +BOM

High-frequency amplifier device for precise control

Produttore:

Toshiba
ProduttorePart #:

TPM2323-60
Scheda dati:

TPM2323-60 Scheda dati (PDF)
Technology:

GaAs
Mounting Style:

SMD/SMT
Configuration:

Single
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

15 V

TPM2323-60 Descrizione generale

FEATURES■ HIGH POWER P1dB=48.0dBm at 2.4GHz■ HIGH GAIN G1dB=10.0dB at 2.4GHz■ PARTIALLY MATCHED TYPE■ HERMETICALLY SEALED PACKAGE

Caratteristiche principali

HIGH POWER
P1dB=48.0dBm at 2.4GHz
HIGH GAIN
G1dB=10.0dB at 2.4GHz
PARTIALLY MATCHED TYPE
HERMETICALLY SEALED PACKAGE

Specifiche

Product Category	JFET	Technology	GaAs
Mounting Style	SMD/SMT	Configuration	Single
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	15 V	Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	- 5 V
Id - Continuous Drain Current	26 A	Series	TPM2323-60
Product Type	JFETs	Subcategory	Transistors
Type	JFET

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..