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TP2104N3-G +BOM

MOSFET, P-Channel Enhancement-Mode, -40V, 6.0 Ohm.

Produttore:

Microchip Technology, Inc
ProduttorePart #:

TP2104N3-G
Scheda dati:

TP2104N3-G Scheda dati (PDF)
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

175mA (Tj)
EDA/CAD Modelli:

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TP2104N3-G Descrizione generale

The TP2104N3-G is a compact MOSFET transistor designed for P Channel applications. With a maximum drain source voltage of -40V and a continuous drain current of -175mA, this transistor is suitable for a variety of low power circuit designs. The on resistance of 6ohm and threshold voltage of -2V make it a versatile component for efficient power management

Caratteristiche principali

Low power consumption rate
Excellent load regulation
Compact package design

Microchip Technology, Inc Stock originale

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	-
FET Type	P-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	175mA (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	60 pF @ 25 V	FET Feature	-
Power Dissipation (Max)	740mW (Ta)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	TP2104

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