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TPH3202LD +BOM

N-Channel 600 V 9A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount 4-PQFN (8x8)

Produttore:

Transphorm, Inc
ProduttorePart #:

TPH3202LD
Scheda dati:

TPH3202LD Scheda dati (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

GaNFET (Gallium Nitride)
Drain To Source Voltage (Vdss):

600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

9A (Tc)
EDA/CAD Modelli:

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TPH3202LD Descrizione generale

N-Channel 600 V 9A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount 4-PQFN (8x8)

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	-
FET Type	N-Channel	Technology	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	350mOhm @ 5.5A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±18V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	760 pF @ 480 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	65W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Product Category:	Transphorm

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