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SBCP56-16T3G +BOM
1.0 A, 80 V NPN Bipolar Junction Transistor
SOT223-
Produttore:
-
ProduttorePart #:
SBCP56-16T3G
-
Scheda dati:
-
Series:
Automotive, AEC-Q101
-
Transistor Type:
NPN
-
Current - Collector (Ic) (Max):
1 A
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
80 V
-
EDA/CAD Modelli:
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Disponibilità: 5976 PZ
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SBCP56-16T3G Descrizione generale
The SBCP56-16T3G by ON Semiconductor is a cutting-edge Schottky barrier diode tailored for applications that demand lightning-fast switching speeds. Boasting a hefty 56 amperes of current and a low forward voltage of 0.69 volts, this diode is encased in a sturdy TO-220 package, presenting versatility for a myriad of circuit configurations. It offers a minuscule leakage current of 0.6 microamperes and a formidable surge current of 200 amperes, affording robust defense against unexpected power surges
Caratteristiche principali
- Robust surge current handling
- Low voltage drop ensured
- High reliability guaranteed
- Surface mount package ideal
Applicazione
- Simply amazing
- Unbeatable quality
- Great value for money
Specifiche
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors | Series | Automotive, AEC-Q101 |
Transistor Type | NPN | Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) | DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 2V |
Power - Max | 1.5 W | Frequency - Transition | 130MHz |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | SBCP56 | Product Category | Bipolar Transistors - BJT |
Mounting Style | SMD/SMT | Transistor Polarity | NPN |
Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V |
Collector- Base Voltage VCBO | 100 V | Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 500 mV | Maximum DC Collector Current | 1 A |
Pd - Power Dissipation | 1.5 W | Gain Bandwidth Product fT | 130 MHz |
Minimum Operating Temperature | - 65 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Qualification | AEC-Q101 | Continuous Collector Current | 1 A |
DC Current Gain hFE Max | 250 | Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
Factory Pack Quantity | 4000 | Subcategory | Transistors |
Technology | Si | Unit Weight | 0.003951 oz |
Politiche di servizio e altro
Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
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Prodotto 365 giorni
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SBCP56-16T3G Scheda dati PDF
SBCP56-16T3G PDF Anteprima
In Stock: 5.976
Minimum Order: 1
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
5+ | $0,198 | $0,99 |
50+ | $0,175 | $8,75 |
150+ | $0,165 | $24,75 |
500+ | $0,152 | $76,00 |
2500+ | $0,133 | $332,50 |
4000+ | $0,129 | $516,00 |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.
Only work after put a capacitor between 3.3 V and GND