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SBC846BWT1G +BOM

NPN Bipolar Transistor

Produttore:

ON Semiconductor, LLC
ProduttorePart #:

SBC846BWT1G
Scheda dati:

SBC846BWT1G Scheda dati (PDF)
Series:

Automotive, AEC-Q101
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

65 V
EDA/CAD Modelli:

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SBC846BWT1G Descrizione generale

TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 65V; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 65V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 200mW; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 200hFE; Transist

Caratteristiche principali

Pb-Free and Halogen-Free Packaging Options
Achieves High Levels of Environmental Sustainability
Meets or Exceeds IECQ617 Standards for Quality
Dedicated Support for All Product Applications

Applicazione

Low Forward Voltage Drop
Intelligent Fault Detection
Integrated Protection Circuits

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors	Series	Automotive, AEC-Q101
Transistor Type	NPN	Current - Collector (Ic) (Max)	100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	65 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	15nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 5V
Power - Max	150 mW	Frequency - Transition	100MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	SBC846

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