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SBC857BLT1G +BOM
PNP type bipolar junction transistor
SOT-23-
Produttore:
-
ProduttorePart #:
SBC857BLT1G
-
Scheda dati:
-
Series:
Automotive, AEC-Q101
-
Transistor Type:
PNP
-
Current - Collector (Ic) (Max):
100 mA
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
45 V
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EDA/CAD Modelli:
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Disponibilità: 6766 PZ
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SBC857BLT1G Descrizione generale
With its carefully designed construction and high-quality materials, the SBC857BLT1G ensures reliable performance and durability, meeting the demands of modern technology and innovation. Whether you're looking to amplify signals or control power flow, this transistor is a valuable component for achieving optimal results
Caratteristiche principali
- SMT Assemblies Available
- RoHS Compliant and Halogen-Free
- Automotive-Grade Quality Assurance
- Wide Temperature Range for Industrial Applications
- Low Power Consumption for Energy-Efficient Designs
- AEC-Q100 Qualified for Space and Aerospace Apps
Specifiche
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors | Series | Automotive, AEC-Q101 |
Transistor Type | PNP | Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) | DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
Power - Max | 300 mW | Frequency - Transition | 100MHz |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | SBC857 | Product Category | Bipolar Transistors - BJT |
Mounting Style | SMD/SMT | Transistor Polarity | PNP |
Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 45 V |
Collector- Base Voltage VCBO | 50 V | Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 650 mV | Maximum DC Collector Current | 100 mA |
Pd - Power Dissipation | 225 mW | Gain Bandwidth Product fT | 100 MHz |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Qualification | AEC-Q101 | Continuous Collector Current | - 100 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 220 at - 2 mA, - 5 V | DC Current Gain hFE Max | 475 at - 2 mA, - 5 V |
Product Type | BJTs - Bipolar Transistors | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | Transistors | Technology | Si |
Unit Weight | 0.000282 oz |
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SBC857BLT1G Scheda dati PDF
SBC857BLT1G PDF Anteprima
In Stock: 6.766
Minimum Order: 1
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
5+ | $0,081 | $0,40 |
50+ | $0,066 | $3,30 |
150+ | $0,058 | $8,70 |
500+ | $0,053 | $26,50 |
3000+ | $0,047 | $141,00 |
6000+ | $0,045 | $270,00 |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.
Resistors passed, in the form of norms we will measure additional feedback.