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SBC856BDW1T1G +BOM

Dual PNP Bipolar Transistor

Produttore:

ON Semiconductor, LLC
ProduttorePart #:

SBC856BDW1T1G
Scheda dati:

SBC856BDW1T1G Scheda dati (PDF)
Case Outline:

419B-02
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
EDA/CAD Modelli:

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SBC856BDW1T1G Descrizione generale

Meet the SBC856BDW1T1G, a dual PNP transistor designed for automotive applications. This high-performance transistor offers a collector-emitter voltage V(br)ceo of -65V and a power dissipation Pd of 380mW, making it suitable for a wide range of automotive electronics. With a DC collector current of 100mA and a DC current gain hFE of 150hFE, this transistor delivers reliable performance in a compact SOT-363 package with 6 pins. It operates at a maximum temperature of 150°C and meets the stringent AEC-Q101 automotive qualification standard. Furthermore, it has an MSL rating of MSL 1 - Unlimited and is free from any SVHC (Substances of Very High Concern) as of the most recent update in June 2018

Caratteristiche principali

Magnetic Field Resistant for Industrial Use
Suitable for Medical Equipment and Appliances
Efficient Thermal Management System

Specifiche

Status	Active	Case Outline	419B-02
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL

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Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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