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SBC847BDW1T1G +BOM

Dual NPN Bipolar Transistor

Produttore:

ON Semiconductor, LLC
ProduttorePart #:

SBC847BDW1T1G
Scheda dati:

SBC847BDW1T1G Scheda dati (PDF)
Series:

Automotive, AEC-Q101
Transistor Type:

2 NPN (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max):

100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

45V
EDA/CAD Modelli:

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SBC847BDW1T1G Descrizione generale

Featuring two NPN transistors in a single package, the SBC847BDW1T1G offers convenience and efficiency in circuit design. Its high gain characteristics make it suitable for a wide range of applications where signal amplification is needed. The SOT-363/SC-88 package not only saves valuable board space but also provides efficient heat dissipation for improved performance

Caratteristiche principali

Safe and Reliable Products Offered
RoHS Compliant and REACH Compliant
AECQ101 Qualified for Automotive Use

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Bipolar Transistor Arrays	Series	Automotive, AEC-Q101
Transistor Type	2 NPN (Dual)	Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	15nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 5V
Power - Max	380mW	Frequency - Transition	100MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	SBC847

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