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RBK04U04GNS-0000#HBH +BOM

This device is suitable for use in a wide range of battery management systems and applications.

Produttore:

Renesas Electronics
ProduttorePart #:

RBK04U04GNS-0000#HBH
Scheda dati:

RBK04U04GNS-0000#HBH Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

2 Channel
EDA/CAD Modelli:

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RBK04U04GNS-0000#HBH Descrizione generale

The RBK04U04GNS is a Nch Single Power MOSFETs 40V 35A 1.5mohm HSON-8pin.
designed for Li-ion battery management system.

Caratteristiche principali

Low on-state resistance
Pulse width modulation compatible
Temperature range: -40°C to 150°C

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V
Id - Continuous Drain Current	35 A	Rds On - Drain-Source Resistance	1.5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	-
Qg - Gate Charge	111 nC	Minimum Operating Temperature	-
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	83 W
Channel Mode	Enhancement	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

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Spedizione e imballaggio

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..