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R6515KNX3C16 +BOM

N-Channel 650 V 15A (Tc) 161W (Tc) Through Hole TO-220AB

Produttore:

ROHM Semiconductor
ProduttorePart #:

R6515KNX3C16
Scheda dati:

R6515KNX3C16 Scheda dati (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

15A (Tc)
EDA/CAD Modelli:

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R6515KNX3C16 Descrizione generale

N-Channel 650 V 15A (Tc) 161W (Tc) Through Hole TO-220AB

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	-
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	15A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	315mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 430µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1050 pF @ 25 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	161W (Tc)
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	R6515	Pin Count	3
Released Date	Sep 16, 2022	Last Modified Date	Mar 7, 2023 4:10 PM UTC

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