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Ideal for applications requiring low voltage drop and high efficiency
TO-220FP-3Produttore:
ProduttorePart #:
R6020FNX
Scheda dati:
Part Life Cycle Code:
Not Recommended
Reach Compliance Code:
compliant
ECCN Code:
EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas):
26.7 mJ
EDA/CAD Modelli:
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220FM, 3 PIN
Part Life Cycle Code | Not Recommended | Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 | Avalanche Energy Rating (Eas) | 26.7 mJ |
Case Connection | ISOLATED | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 600 V | Drain Current-Max (ID) | 20 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.25 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95 Code | TO-220AB | JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 80 A | Surface Mount | NO |
Terminal Form | THROUGH-HOLE | Terminal Position | SINGLE |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
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Metodo di pagamento
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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