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R6015ANX +BOM

N-channel 600V 15A Transistor with TO-220FM Package

Produttore:

Rohm Semiconductor
ProduttorePart #:

R6015ANX
Scheda dati:

R6015ANX Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

600 V
EDA/CAD Modelli:

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R6015ANX Descrizione generale

As a pioneer in semiconductor technology, ROHM has once again raised the bar with the R6015ANX MOSFET, a powerhouse of efficiency and performance. Engineered for excellence, this MOSFET combines high efficiency with high breakdown resistance, making it an indispensable component in modern power supply designs. With the R6015ANX, engineers can confidently tackle the most demanding applications, knowing that they have a reliable and robust solution at their disposal

Caratteristiche principali

1) Low on-resistance.
2) Fast switching speed.
3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±30V.
4) Drive circuits can be simple.
5) Parallel use is easy.
6) Pb-free lead plating ; RoHS compliant

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V	Id - Continuous Drain Current	15 A
Rds On - Drain-Source Resistance	300 mOhms	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	50 W	Forward Transconductance - Min	4.5 S
Product Type	MOSFET	Factory Pack Quantity	500
Subcategory	MOSFETs	Unit Weight	0.068784 oz

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