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PMDT290UNE,115 +BOM

20 V, 800 mA dual N-channel Trench MOSFET

PMDT290UNE,115 Descrizione generale

The PMDT290UNE is a game-changer in the world of FETs, offering unparalleled performance and versatility in a compact package. Featuring dual N-channel enhancement mode and Trench MOSFET technology, this small yet mighty device delivers exceptional power and efficiency for a wide range of applications. Whether you're designing a new circuit or upgrading an existing system, the PMDT290UNE is the perfect choice for reliable and precise control

Caratteristiche principali

  • High-quality components and manufacturing process
  • Durable and resistant to corrosion
  • Low total cost of ownership
  • User-friendly interface

Applicazione

  • Motor control unit
  • Current monitoring
  • Solenoid driver

Specifiche

Source Content uid PMDT290UNE,115 Part Life Cycle Code Active
Pin Count 6 Reach Compliance Code compliant
Application SWITCHING Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JESD-30 Code R-PDSO-F6
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 2
Number of Terminals 6 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Surface Mount YES Terminal Finish TIN
Terminal Form FLAT Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Element Material SILICON
Series TrenchMOS™ Technology MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 800mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.68nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 83pF @ 10V Power - Max 500mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Grade Automotive
Qualification AEC-Q101 Mounting Type Surface Mount
Base Product Number PMDT290

Politiche di servizio e altro

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