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N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 6 bumps Wafer Level Chip-Size Package (WLCSP) using Trench MOSFET technology.
WLSCP-6Produttore:
ProduttorePart #:
PMCM6501VNEZ
Scheda dati:
FET Type:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):
12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
7.3A (Ta)
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N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 6 bumps Wafer Level Chip-Size Package (WLCSP) using Trench MOSFET technology.
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs | Series | - |
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 4.5 V |
Vgs (Max) | ±8V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 920 pF @ 6 V |
FET Feature | - | Power Dissipation (Max) | 556mW (Ta), 12.5W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | PMCM6501 | feature-packaging | Tape and Reel |
feature-rad-hard | feature-pin-count | 6 | |
feature-cecc-qualified | No | feature-esd-protection | |
feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
feature-aec-qualified-number | feature-auto-motive | No | |
feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
feature-svhc | No | feature-svhc-exceeds-threshold | No |
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Metodo di pagamento
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Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $0,755 | $0,76 |
200+ | $0,293 | $58,60 |
500+ | $0,283 | $141,50 |
1000+ | $0,277 | $277,00 |
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