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30 V, dual P-channel Trench MOSFET
DFN1010BProduttore:
ProduttorePart #:
PMDXB1200UPEZ
Scheda dati:
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:
2 P-Channel (Dual)
Drain To Source Voltage (Vdss):
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
410mA
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Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsFET, MOSFET Arrays | Series | - |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Configuration | 2 P-Channel (Dual) |
FET Feature | - | Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 410mA | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 43.2pF @ 15V | Power - Max | 285mW |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | PMDXB1200 | feature-packaging | Tape and Reel |
feature-rad-hard | feature-pin-count | 6 | |
feature-cecc-qualified | No | feature-esd-protection | |
feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
feature-aec-qualified-number | feature-auto-motive | No | |
feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
feature-svhc | Yes | feature-svhc-exceeds-threshold | No |
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Qualità garantita
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $0,325 | $0,32 |
200+ | $0,126 | $25,20 |
500+ | $0,122 | $61,00 |
1000+ | $0,119 | $119,00 |
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