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PMD16K100 +BOM

TO-3 NPN Darlington BJT

Produttore:

Solid State Inc.
ProduttorePart #:

PMD16K100
Scheda dati:

PMD16K100 Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max):

20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

100 V
Mounting Type:

Through Hole
EDA/CAD Modelli:

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PMD16K100 Descrizione generale

When it comes to high-power switching applications, the PMD16K100 truly shines. With a gate-source threshold voltage of 2V and a total gate charge of 9.5nC, this MOSFET delivers fast and efficient operation that is second to none. In conclusion, the PMD16K100 is the ultimate choice for those seeking a high-performance MOSFET that combines reliability, efficiency, and outstanding performance in one stellar package

Specifiche

Transistor Type	NPN - Darlington	Current - Collector (Ic) (Max)	20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	-
Current - Collector Cutoff (Max)	-	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	-
Power - Max	-	Frequency - Transition	-
Operating Temperature	-	Mounting Type	Through Hole

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