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ISS17EP06LMXTSA1 +BOM

MOSFETs designed for low-power applications

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

ISS17EP06LMXTSA1
Scheda dati:

ISS17EP06LMXTSA1 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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ISS17EP06LMXTSA1 Descrizione generale

P-Channel 60 V 300mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	300 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	1.7 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	1.79 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	360 mW
Channel Mode	Enhancement	Series	ISS06P010
Configuration	Single	Fall Time	9 ns
Forward Transconductance - Min	0.64 S	Product Type	MOSFET
Rise Time	3 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	27 ns	Typical Turn-On Delay Time	2 ns
Part # Aliases	ISS17EP06LM SP004987276	Unit Weight	0.000282 oz

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