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ISP20EP10LMXTSA1 +BOM

P-Channel 100 V 650mA (Ta), 990mA (Tc) 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-4

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

ISP20EP10LMXTSA1
Scheda dati:

ISP20EP10LMXTSA1 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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ISP20EP10LMXTSA1 Descrizione generale

P-Channel 100 V 650mA (Ta), 990mA (Tc) 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-4

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Id - Continuous Drain Current	990 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	200 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V
Qg - Gate Charge	3.5 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	4.2 W
Channel Mode	Enhancement	Series	ISP20EP10
Product	MOSFET	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	MOSFETs
Part # Aliases	ISP20EP10LM SP005343889

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