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ISC058N04NM5ATMA1 +BOM

MOSFET TRENCH <= 40V

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

ISC058N04NM5ATMA1
Scheda dati:

ISC058N04NM5ATMA1 Scheda dati (PDF)
Series:

OptiMOS™-5
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

40 V
EDA/CAD Modelli:

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ISC058N04NM5ATMA1 Descrizione generale

N-Channel 40 V 17A (Ta), 63A (Tc) 3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL

Infineon Technologies Corporation inventario

Caratteristiche principali

Normal level gate threshold (2.8V typical)
175°C junction temperature (T
j
Optimized charge ratio (Q
GD
GS
Low gate charge
Superior thermal resistance
Strong SOA (safe operating area) rating
Reduced switching losses leading to greater system efficiency and power density
Suitable for operation at higher frequencies enabling advanced motor control techniques like field oriented control (FOC), direct torque control (DTC) as well as block commutation method
Capable of withstanding high surge current during in-rush, locked rotor and braking scenarios

Infineon Technologies Corporation Stock originale

Applicazione

Battery powered applications
Battery powered tools
Battery management
Low-voltage drives

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	OptiMOS™-5
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	17A (Ta), 63A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.8mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.4V @ 13µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1100 pF @ 20 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	3W (Ta), 42W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	ISC058N	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	yes

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