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IRLZ14PBF-BE3 +BOM

MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET

Produttore:

Vishay
ProduttorePart #:

IRLZ14PBF-BE3
Scheda dati:

IRLZ14PBF-BE3 Scheda dati (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
EDA/CAD Modelli:

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IRLZ14PBF-BE3 Descrizione generale

N-Channel 60 V 10A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB

Caratteristiche principali

Dynamic dV/dt rating

Logic-level gate drive

RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V

175 °C operating temperature

Fast switching

Ease of paralleling

Simple drive requirements

Specifiche

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V	Id - Continuous Drain Current	10 A
Rds On - Drain-Source Resistance	200 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 10 V, + 10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V	Qg - Gate Charge	8.4 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	43 W	Channel Mode	Enhancement
Series	IRLZ	Configuration	Single
Fall Time	26 ns	Product Type	MOSFET
Rise Time	110 ns	Factory Pack Quantity	1000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	17 ns	Typical Turn-On Delay Time	9.3 ns
Part # Aliases	IRLZ14PBF	Unit Weight	0.068784 oz

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