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IRLS3036PBF +BOM

With a low on-state resistance of 0.0024 ohm, the IRLS3036PBF is a high performance N-CHANNEL Power MOSFET

Produttore:

Infineon Technologies
ProduttorePart #:

IRLS3036PBF
Scheda dati:

IRLS3036PBF Scheda dati (PDF)
Series:

HEXFET®
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

60 V
EDA/CAD Modelli:

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IRLS3036PBF Descrizione generale

N-Channel 60 V 195A (Tc) 380W (Tc) Surface Mount D2PAK

Caratteristiche principali

Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 100V
Lower RDS(ON) : 0.176Ω (Typ.)

Specifiche

Series	HEXFET®	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	195A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4mOhm @ 165A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	140 nC @ 4.5 V	Vgs (Max)	±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11210 pF @ 50 V	Power Dissipation (Max)	380W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount

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