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IRFR120 +BOM

N-Channel 100 V 7.7A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DPAK

Produttore:

Fairchild Semiconductor
ProduttorePart #:

IRFR120
Scheda dati:

IRFR120 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Transferred
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8541.29.00.95
EDA/CAD Modelli:

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IRFR120 Descrizione generale

Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3

Caratteristiche principali

Surge rated for inductive loads
Overcurrent shutdown protection
Undervoltage lockout
Overtemperature warning

Specifiche

Part Life Cycle Code	Transferred	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8541.29.00.95
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min	100 V	Drain Current-Max (ID)	7.7 A
Drain-source On Resistance-Max	0.27 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-252AA	JESD-30 Code	R-PSSO-G2
JESD-609 Code	e0	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	240	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max	42 W	Power Dissipation-Max (Abs)	42 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	34 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

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