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IRFF131 +BOM

8A, 80V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF

IRFF131 Descrizione generale

N-Channel Enhancement-Mode Power Field-Effect Transistors7.0A and 8.0A, 60V-100V rDS(on) = 0.18 Ω and 0.25 Ω

Specifiche

Part Life Cycle Code Active Reach Compliance Code
Configuration SINGLE DS Breakdown Voltage-Min 80 V
Drain Current-Max (ID) 8 A Drain-source On Resistance-Max 0.18 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JEDEC-95 Code TO-205AF
JESD-30 Code O-MBCY-W3 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Pulsed Drain Current-Max (IDM) 32 A
Qualification Status COMMERCIAL Surface Mount NO
Terminal Form WIRE Terminal Position BOTTOM
Transistor Element Material SILICON Product Category MOSFET
Technology Si Mounting Style Through Hole
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 80 V Id - Continuous Drain Current 32 A
Rds On - Drain-Source Resistance 180 mOhms Pd - Power Dissipation 25 W
Tradename StrongIRFET Height 4.54 mm
Length 8.3 mm Product Type MOSFET
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Width 8.3 mm Unit Weight 0.229281 oz

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