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IRF640B +BOM

200V - 0.15Ω - 18A TO-220/TO-220FP, 200V N-Channel MOSFET

Produttore:

FAIRCHILD
ProduttorePart #:

IRF640B
Scheda dati:

IRF640B Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

Caratteristiche principali

18A, 200V, RDS(on)= 0.18Ω@VGS= 10 V
Low gate charge ( typical 45 nC)
Low Crss ( typical 45 pF)
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability

Specifiche

Source Content uid	IRF640B	Part Life Cycle Code	Obsolete
Pin Count	3	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Avalanche Energy Rating (Eas)	250 mJ
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	200 V
Drain Current-Max (ID)	18 A	Drain-source On Resistance-Max	0.18 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-220AB
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	JESD-609 Code	e0
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	139 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	72 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

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