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IKW50N65F5 +BOM

N-CH 650V 80A 305W

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

IKW50N65F5
Scheda dati:

IKW50N65F5 Scheda dati (PDF)
IC Max:

80.0 A
ICpuls Max:

150.0 A
IF Max:

40.0 A
IFpuls Max:

150.0 A
EDA/CAD Modelli:

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IKW50N65F5 Descrizione generale

Housed in a robust TO-247 package, the IKW50N65F5 offers excellent thermal conductivity and mechanical stability, ensuring optimal performance and reliability. With a wide operating temperature range of -55°C to 150°C, this IGBT is versatile and adaptable to various environmental conditions

Infineon Technologies Corporation inventario

Caratteristiche principali

650 V breakthrough voltage
Compared to best-in-class HighSpeed 3 family
Factor 2.5 lower Q
g
Factor 2 reduction in switching losses
200mV reduction in V
CEsat
Co-packed with Rapid Si-diode technology
Low C
OES
OSS
Mild positive temperature coefficient V
CEsat
Temperature stability of V
f
Best-in-class efficiency, resulting in lower junction and
case temperature leading to higher device reliability
50 V increase in the bus voltage possible without compromising
reliability
Higher power density design

Infineon Technologies Corporation Stock originale

Specifiche

IC max	80.0 A	ICpuls max	150.0 A
IF max	40.0 A	IFpuls max	150.0 A
VCE max	650.0 V	Switching Frequency	TRENCHSTOP™5 60-120 kHz
Technology	IGBT TRENCHSTOP™ 5	Switching Frequency max	120.0 kHz
Switching Frequency min	60.0 kHz	Ptot max	305.0 W

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