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Vedi Specifiche Tecniche

IKQ40N120CH3 +BOM

High-power IGBT chip designed for efficient power switching in industrial and automotive applications

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

IKQ40N120CH3
Scheda dati:

IKQ40N120CH3 Scheda dati (PDF)
IC Max:

80.0 A
ICpuls Max:

160.0 A
IF Max:

40.0 A
IFpuls Max:

160.0 A
EDA/CAD Modelli:

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IKQ40N120CH3 Descrizione generale

IKQ40N120CH3 is a high power insulated gate bipolar transistor (IGBT) manufactured by Infineon Technologies. Here are some features of this component:

Infineon Technologies Corporation inventario

Caratteristiche principali

Collector-Emitter Voltage (VCE): 1200V
Collector Current (IC): 80A
Maximum Power Dissipation: 640W
Fast Switching Speed
Low Saturation Voltage

Infineon Technologies Corporation Stock originale

Applicazione

Power supplies and converters
Motor control
Industrial automation
Solar inverters
Uninterruptible power supplies (UPS)
Welding equipment

Specifiche

IC max	80.0 A	ICpuls max	160.0 A
IF max	40.0 A	IFpuls max	160.0 A
Ptot max	500.0 W	Switching Frequency max	60.0 kHz
Switching Frequency min	18.0 kHz	Switching Frequency	18-60 kHz
VCE max	1200.0 V	Technology	IGBT HighSpeed 3

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..