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IKFW50N60ETXKSA1 +BOM

IGBT Trench Field Stop 600 V 73 A 164 W Through Hole PG-TO247-3-AI

IKFW50N60ETXKSA1 Descrizione generale

IGBT Trench Field Stop 600 V 73 A 164 W Through Hole PG-TO247-3-AI

Infineon Technologies Corporation inventario

Caratteristiche principali

  • Lowest V
  • CEsat
  • Low switching losses
  • Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V
  • CEsat
  • Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode with low EMI
  • 2500 V
  • RMS
  • 100 % tested isolated mounting surface
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant
  • Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC 47/20/22
  • No need to use isolation material and thermal grease
  • 35% reduction in assembling time compared to standard TO-247 with Iso-foils
  • Increased yield eliminating misalignments of isolation foils
  • Complete manufacturing process control
  • Highest efficiency – low conduction and switching losses
  • Very tight parameter distribution
Infineon Technologies Corporation Stock originale

Applicazione

  • Residential air conditioning: Smart and efficient cooling
  • Solutions for photovoltaic energy systems
  • Uninterruptible Power Supplies (UPS)

Specifiche

RHoS yes PBFree yes
HalogenFree yes Product Category IGBT Transistors
Technology Si Mounting Style Through Hole
Configuration Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 73 A Pd - Power Dissipation 164 W
Minimum Operating Temperature - 40 C Maximum Operating Temperature + 175 C
Series Trenchstop IGBT3 Continuous Collector Current Ic Max 73 A
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA Product Type IGBT Transistors
Factory Pack Quantity 240 Subcategory IGBTs
Tradename TRENCHSTOP Part # Aliases IKFW50N60ET SP001672368
Unit Weight 0.208934 oz

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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