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IKW40N60H3FKSA1 +BOM

IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 306 W Through Hole PG-TO247-3-1

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

IKW40N60H3FKSA1
Scheda dati:

IKW40N60H3FKSA1 Scheda dati (PDF)
RHoS:

yes
PBFree:

yes
Technology:

Si
Maximum Gate Emitter Voltage:

- 20 V, 20 V
EDA/CAD Modelli:

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E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

IKW40N60H3FKSA1 Descrizione generale

IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 306 W Through Hole PG-TO247-3-1

Infineon Technologies Corporation inventario

Caratteristiche principali

Low switching losses for high efficiency
Excellent V
ce(sat)
Fast switching behavior with low EMI emissions
Optimized diode for target applications, meaning further improvement in switching losses
Low gate resistor selection possible (down to 5Ω) whilst maintaining excellent switching behaviour
Short circuit capability 5μs
Offering T
j(max)
Packaged with and without freewheeling diode for increased design freedom
Low switching and conduction losses
Very good EMI behavior
Can be used with a small gate resistor for reduced delay time and voltage overshoot
High current density
Best-in-class 600 V IGBT efficiency and EMI behavior

Infineon Technologies Corporation Stock originale

Applicazione

Uninterruptible Power Supplies (UPS)
Industrial Heating and Welding
Solutions for Solar Energy Systems

Specifiche

RHoS	yes	PBFree	yes
Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Series	HighSpeed 3
Product Type	IGBT Transistors	Subcategory	IGBTs
Tradename	TRENCHSTOP	Part # Aliases	IKW40N60H3 SP000769928

Politiche di servizio e altro

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