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GCMS080B120S1-E1 +BOM

Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227

Produttore:

SemiQ
ProduttorePart #:

GCMS080B120S1-E1
Scheda dati:

GCMS080B120S1-E1 Scheda dati (PDF)
Product:

Power MOSFET Modules
Type:

COPACK Power Module
Technology:

SiC
Vf - Forward Voltage:

1.5 V at 10 A
EDA/CAD Modelli:

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GCMS080B120S1-E1 Descrizione generale

N-Channel 1200 V 30A (Tc) 142W (Tc) Chassis Mount SOT-227

Specifiche

Product Category	Discrete Semiconductor Modules	Product	Power MOSFET Modules
Type	COPACK Power Module	Technology	SiC
Vf - Forward Voltage	1.5 V at 10 A	Vr - Reverse Voltage	1.2 kV
Vgs - Gate-Source Voltage	- 10 V, + 25 V	Mounting Style	Screw Mount
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Configuration	Single	Fall Time	14 ns
Id - Continuous Drain Current	30 A	Pd - Power Dissipation	142 W
Product Type	Discrete Semiconductor Modules	Rds On - Drain-Source Resistance	77 mOhms
Rise Time	4 ns	Factory Pack Quantity	10
Subcategory	Discrete Semiconductor Modules	Transistor Polarity	N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	16 ns	Typical Turn-On Delay Time	9 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	1.2 kV	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V

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