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FQPF6N60C +BOM

600V 5.5A N-Channel MOSFET Transistor FQPF6N60C by Fairchild in TO-220F Package

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

FQPF6N60C
Scheda dati:

FQPF6N60C Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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FQPF6N60C Descrizione generale

N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Caratteristiche principali

5.5A, 600V, RDS(on) = 2.0 @VGS = 10 V

Low gate charge ( typical 16 nC)

Low Crss ( typical 7 pF)

Fast switching

100% avalanche tested

Improved dv/dt capabilit

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Id - Continuous Drain Current	5.5 A	Rds On - Drain-Source Resistance	2 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	40 W
Channel Mode	Enhancement	Series	FQPF6N60C
Configuration	Single	Fall Time	45 ns
Forward Transconductance - Min	4.8 S	Height	16.3 mm
Length	10.67 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	45 ns	Factory Pack Quantity	50
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	45 ns
Typical Turn-On Delay Time	15 ns	Width	4.7 mm
Part # Aliases	FQPF6N60C_NL	Unit Weight	0.068784 oz

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