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N-Channel 200 V 9.5A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
TO-220FProduttore:
ProduttorePart #:
FQPF10N20C
Scheda dati:
Case Outline:
221AT
MSL Temp (°C):
0
Container Type:
TUBE
Technology:
Si
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Engineered utilizing ON Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology, the FQPF10N20C N-channel enhancement mode power MOSFET offers unparalleled performance in power management applications. With reduced on-state resistance and superior switching performance, the FQPF10N20C is the ideal choice for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts. Its high avalanche energy strength ensures reliability in demanding environments, making it a key component for designers and engineers seeking to optimize the efficiency and performance of their power management systems
Status | Last Shipments | Case Outline | 221AT |
MSL Temp (°C) | 0 | Container Type | TUBE |
Product Category | MOSFET | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
Id - Continuous Drain Current | 9.5 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 360 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
Qg - Gate Charge | 26 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 38 W |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | QFET |
Series | FQPF10N20C | Configuration | Single |
Fall Time | 72 ns | Forward Transconductance - Min | 5.5 S |
Height | 16.07 mm | Length | 10.36 mm |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 92 ns |
Factory Pack Quantity | 1000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 70 ns | Typical Turn-On Delay Time | 11 ns |
Width | 4.9 mm | Part # Aliases | FQPF10N20C_NL |
Unit Weight | 0.068784 oz |
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