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FQA36P15 +BOM

Power MOSFET, P-Channel, QFET®, -150 V, -36 A, 90 mΩ, TO-3P

Produttore:

ON Semiconductor, LLC
ProduttorePart #:

FQA36P15
Scheda dati:

FQA36P15 Scheda dati (PDF)
Case Outline:

340BZ
MSL Temp (°C):

0
Container Type:

TUBE
Technology:

Si
EDA/CAD Modelli:

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FQA36P15 Descrizione generale

This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using a proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.

Caratteristiche principali

• -36 A, -150 V, RDS(on) = 90 mΩ (Max) @VGS = -10 V, ID = -18 A
• Low Gate Charge (Typ. 81 nC)
• Low Crss (Typ. 110 pF)
• 100% Avalanche Tested
• 175°C Maximum Junction Temperature Rating

Applicazione

Other Audio & Video
Switched Mode Power Supplies
Audio Amplifiers
DC Motor Control
Variable Switching Power Applications

Specifiche

Status	Lifetime	Case Outline	340BZ
MSL Temp (°C)	0	Container Type	TUBE
Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	150 V
Id - Continuous Drain Current	36 A	Rds On - Drain-Source Resistance	90 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4 V
Qg - Gate Charge	105 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	294 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	QFET
Series	FQA36P15	Configuration	Single
Fall Time	150 ns	Forward Transconductance - Min	19.5 S
Height	20.1 mm	Length	16.2 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	350 ns
Factory Pack Quantity	30	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	155 ns	Typical Turn-On Delay Time	50 ns
Width	5 mm	Part # Aliases	FQA36P15_NL
Unit Weight	0.162260 oz

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