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FQP3N80C +BOM
N-Channel 800 V 3A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-220-3
TO-220-3-
Produttore:
Fairchild Semiconductor
-
ProduttorePart #:
FQP3N80C
-
Scheda dati:
-
FET Type:
N-Channel
-
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
-
Drain To Source Voltage (Vdss):
800 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
3A (Tc)
-
EDA/CAD Modelli:
Disponibilità: 6669 PZ
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FQP3N80C Descrizione generale
With its use of ON Semiconductor Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology, the FQP3N80C N-Channel enhancement mode power MOSFET delivers impressive features. Its design focuses on reducing on-state resistance, providing superior switching performance, and offering high avalanche energy strength. These qualities make the FQP3N80C suitable for a range of applications, including switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts, making it a valuable asset for effective power management and control
Caratteristiche principali
- Faster switching speed
- Higher power density
- RDS(on) = 3.5Ω( Max.) @ VGS = 15V, ID = 2A
- No thermal shutdown
Applicazione
- Illuminate
- Your
- Life
Specifiche
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8Ohm @ 1.5A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±30V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 705 pF @ 25 V |
FET Feature | - | Power Dissipation (Max) | 107W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
Politiche di servizio e altro
Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
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In Stock: 6.669
Minimum Order: 1
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $2,091 | $2,09 |
10+ | $1,984 | $19,84 |
30+ | $1,922 | $57,66 |
100+ | $1,858 | $185,80 |
500+ | $1,735 | $867,50 |
1000+ | $1,721 | $1.721,00 |
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