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FQP2N60C +BOM

ON Semiconductor's FQP2N60C is an N-Channel MOSFET housed in a QFET package with a 3-Pin TO-220AB setup

Produttore:

Fairchild Semiconductor
ProduttorePart #:

FQP2N60C
Scheda dati:

FQP2N60C Scheda dati (PDF)
Pacchetto/custodia:

TO-220-3
Tipologia di prodotto:

Single FETs, MOSFETs
Ciclo vitale:

Last Shipments
EDA/CAD Modelli:

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FQP2N60C Descrizione generale

The FQP2N60C is an N-Channel power MOSFET designed using ON Semiconductor's cutting-edge planar stripe and DMOS technology. With a focus on minimizing on-state resistance and maximizing switching efficiency, this MOSFET delivers exceptional performance and robust avalanche energy capability. Ideal for applications such as switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts, the FQP2N60C offers reliable and high-performance solutions for various power management needs

Caratteristiche principali

Fast response time
Small package size
Wide operating temperature range
Low power consumption

Applicazione

Lighting

Specifiche

FET Type	-	Technology	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	-	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs(th) (Max) @ Id	-	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	-
Operating Temperature	-	Mounting Type	-

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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