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FQB6N80 +BOM

MOSFET QF 800V 1.95OHM D2PAK

Produttore:

FAIRCHILD
ProduttorePart #:

FQB6N80
Scheda dati:

FQB6N80 Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

No
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelli:

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FQB6N80 Descrizione generale

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using a proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

Caratteristiche principali

5.8A, 800V, R_DS(on) = 1.95Ω(Max.) @V_GS = 10 V, I_D = 2.9A
Low gate charge ( Typ. 31nC)
Low C_rss ( Typ. 14pF)
100% avalanche tested
RoHS compliant

Applicazione

Lighting

Specifiche

Source Content uid	FQB6N80	Pbfree Code	No
Part Life Cycle Code	Obsolete	Pin Count	3
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.29.00.95	Avalanche Energy Rating (Eas)	680 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	800 V	Drain Current-Max (ID)	5.8 A
Drain-source On Resistance-Max	1.95 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-263AB	JESD-30 Code	R-PSSO-G2
JESD-609 Code	e0	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	158 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	23.2 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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