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FQA55N10 +BOM

MOSFET 100V N-Channel QFET

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

FQA55N10
Scheda dati:

FQA55N10 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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FQA55N10 Descrizione generale

N-Channel 100 V 61A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-3P

Caratteristiche principali

61A, 100V, RDS(on) = 0.026Ω @VGS = 10 V
Low gate charge ( typical 75 nC)
Low Crss ( typical 130 pF)
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
175°C maximum junction temperature rating

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Id - Continuous Drain Current	61 A	Rds On - Drain-Source Resistance	26 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 25 V, + 25 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	190 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	140 ns	Forward Transconductance - Min	39 S
Height	20.1 mm	Length	16.2 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	250 ns
Factory Pack Quantity	450	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	110 ns	Typical Turn-On Delay Time	25 ns
Width	5 mm	Part # Aliases	FQA55N10_NL
Unit Weight	0.162260 oz

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