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FQA16N50 +BOM

Description of item: N-Channel MOSFET with 500V voltage rating

Produttore:

Fairchild Semiconductor
ProduttorePart #:

FQA16N50
Scheda dati:

FQA16N50 Scheda dati (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

16A (Tc)
EDA/CAD Modelli:

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FQA16N50 Descrizione generale

N-Channel 500 V 16A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-3P

Caratteristiche principali

16A, 500V, RDS(on) = 0.32Ω @VGS = 10 V
Low gate charge ( typical 60 nC)
Low Crss ( typical 35 pF)
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability

Specifiche

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	320mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	75 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3000 pF @ 25 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	200W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole

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