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FQA10N80C +BOM
High-voltage N-channel MOSFET with advanced QFET technology
TO-3PN-3-
Produttore:
Fairchild Semiconductor
-
ProduttorePart #:
FQA10N80C
-
Scheda dati:
-
FET Type:
N-Channel
-
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
-
Drain To Source Voltage (Vdss):
800 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
10A (Tc)
-
EDA/CAD Modelli:
Disponibilità: 6276 PZ
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FQA10N80C Descrizione generale
N-Channel 800 V 10A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3P
Caratteristiche principali
- 10A, 800V, RDS(on) = 1.1Ω @VGS = 10 V
- Low gate charge ( typical 44 nC)
- Low Crss ( typical 15pF)
- Fast switching
- 100% avalanche tested
- Improved dv/dt capability
- RoHS compliant
Specifiche
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 5A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±30V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 25 V |
FET Feature | - | Power Dissipation (Max) | 240W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
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In Stock: 6.276
Minimum Order: 1
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $1,528 | $1,53 |
200+ | $0,592 | $118,40 |
500+ | $0,571 | $285,50 |
1000+ | $0,562 | $562,00 |
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