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FDZ372NZ +BOM

N-Channel MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor rated for 4.7A and 20V

Produttore:

Fairchild Semiconductor
ProduttorePart #:

FDZ372NZ
Scheda dati:

FDZ372NZ Scheda dati (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

4.7A (Ta)
EDA/CAD Modelli:

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FDZ372NZ Descrizione generale

N-Channel 20 V 4.7A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (1x1)

Specifiche

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	-	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	685 pF @ 10 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	1.7W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount

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