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FD250R65KE3KNOSA1 +BOM

IGBT Module Single 6500 V 250 A 4800 W Chassis Mount Module

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

FD250R65KE3KNOSA1
Scheda dati:

FD250R65KE3KNOSA1 Scheda dati (PDF)
Configuration:

Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

6500 V
Current - Collector (Ic) (Max):

250 A
Power - Max:

4800 W
EDA/CAD Modelli:

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FD250R65KE3KNOSA1 Descrizione generale

IGBT Module Single 6500 V 250 A 4800 W Chassis Mount Module

Infineon Technologies Corporation inventario

Caratteristiche principali

Low V
CEsat
AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Capability
Extended Storage Temperature down to>
Package with CTI > 600
Package with enhanced Insulation of 10.2kV AC 1min
High Creepage and Clearance Distance
Standardized housing

Infineon Technologies Corporation Stock originale

Applicazione

Motor control and drives
Traction

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules	Series	-
IGBT Type	-	Configuration	Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	6500 V	Current - Collector (Ic) (Max)	250 A
Power - Max	4800 W	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.4V @ 15V, 250A
Current - Collector Cutoff (Max)	5 mA	Input Capacitance (Cies) @ Vce	69 nF @ 25 V
Input	Standard	NTC Thermistor	No
Operating Temperature	-50°C ~ 125°C	Mounting Type	Chassis Mount
Base Product Number	FD250R65	RHoS	no
PBFree	no	HalogenFree	no
Product Category	IGBT Modules	Product Type	IGBT Modules
Subcategory	IGBTs	Part # Aliases	FD250R65KE3-K SP000976698

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