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FDPF12N50NZ +BOM
Field-Effect Transistor (FET) with N-type channel
TO-220-3-
Produttore:
-
ProduttorePart #:
FDPF12N50NZ
-
Scheda dati:
-
REACH:
Details
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Technology:
Si
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Mounting Style:
Through Hole
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Transistor Polarity:
N-Channel
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EDA/CAD Modelli:
Disponibilità: 3159 PZ
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FDPF12N50NZ Descrizione generale
With its advanced planar stripe and DMOS technology, this MOSFET delivers exceptional performance in terms of efficiency and reliability. Its compact design and high switching capabilities make it a valuable component in power electronics systems
Caratteristiche principali
- Elevated temperature tolerance
- Low leakage current at high temperatures
- Robustness against electrical overstress
- Compact design for miniaturization
Applicazione
- Versatile solutions for modern living
- Efficiency at its finest
Specifiche
Product Category | MOSFET | REACH | Details |
Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V | Id - Continuous Drain Current | 11.5 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 460 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V | Qg - Gate Charge | 23 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 42 W | Channel Mode | Enhancement |
Tradename | UniFET | Series | FDPF12N50NZ |
Configuration | Single | Fall Time | 45 ns |
Forward Transconductance - Min | 12 S | Height | 16.07 mm |
Length | 10.36 mm | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 50 ns | Factory Pack Quantity | 1000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 60 ns | Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
Width | 4.9 mm | Unit Weight | 0.068784 oz |
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