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FDN361AN +BOM

Transistor N-channel 30V 1.8A MOSFET in SuperSOT package, taped and reeled

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

FDN361AN
Scheda dati:

FDN361AN Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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FDN361AN Descrizione generale

N-Channel 30 V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Caratteristiche principali

1.8 A, 30 V. RDS(on) = 0.100 Ω @ VGS = 10 V RDS(on) = 0.150 Ω @ VGS = 4.5 V.
Low gate charge ( 2.1nC typical ).
Fast switching speed.
High performance trench technology for extremely low RDS(on).
High power version of industry standard SOT-23 package. Identical pin out to SOT-23 with 30% higher power handling capability.

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	1.8 A	Rds On - Drain-Source Resistance	72 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	500 mW
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	11 ns	Forward Transconductance - Min	5 S
Height	1.12 mm	Length	2.9 mm
Product	MOSFET Small Signal	Product Type	MOSFET
Rise Time	11 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	7 ns
Typical Turn-On Delay Time	3 ns	Width	1.4 mm
Part # Aliases	FDN361AN_NL	Unit Weight	0.001058 oz

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