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FDMS8670AS +BOM

Silicon N-Channel MOSFET, 30V Voltage Rating, 23A Current Capacity, 8-Pin Power Package, Tape and Reel Format

FDMS8670AS Descrizione generale

N-Channel 30 V 23A (Ta), 42A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Caratteristiche principali

  • Max rDS(on) = 3.9 mΩ at VGS = 10 V, ID = 19 A
  • Max rDS(on) = 5.5 mΩ at VGS = 8 V, ID = 15.5 A
  • Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
  • Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery
  • MSL1 robust package design
  • 100% UIL tested
  • RoHS Compliant

Specifiche

Series PowerTrench® FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Ta), 42A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 23A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3615 pF @ 15 V Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Surface Mount

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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