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FDMS8660S +BOM

Power transistor FDMS8660S with N-channel design, capable of handling up to 40 amps of current at 30 volts with a resistance of 2.4 ohms

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

FDMS8660S
Scheda dati:

FDMS8660S Scheda dati (PDF)
Series:

PowerTrench®
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

30 V
EDA/CAD Modelli:

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FDMS8660S Descrizione generale

N-Channel 30 V 25A (Ta), 40A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Caratteristiche principali

Max rDS(on) = 3.9 mΩ at VGS = 10 V, ID = 19 A
Max rDS(on) = 5.5 mΩ at VGS = 8 V, ID = 15.5 A
Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery
MSL1 robust package design
100% UIL tested
RoHS Compliant

Specifiche

Series	PowerTrench®	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	25A (Ta), 40A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4mOhm @ 25A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	113 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4345 pF @ 15 V	Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 83W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	FDMS86

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