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FDMS8660AS +BOM

TRANS MOSFET N-CH 30V 28A 8PIN PWR 56

FDMS8660AS Descrizione generale

With the FDMS8660AS, users can expect top-notch quality and reliability thanks to its innovative design and construction. The monolithic Schottky body diode further enhances its performance, providing an efficient solution for power conversion needs. This device is a testament to the constant advancements in technology that drive progress in the field of electronics

Specifiche

Product Category MOSFET Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V
Id - Continuous Drain Current 28 A Rds On - Drain-Source Resistance 2.1 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 2.5 W
Channel Mode Enhancement Series FDMS8660AS
Configuration Single Fall Time 5 ns
Height 1.1 mm Length 6 mm
Product Type MOSFET Rise Time 8 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 42 ns
Typical Turn-On Delay Time 16 ns Width 5 mm
Unit Weight 0.002402 oz

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