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FDMS86540 +BOM

N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 129A, 3.4mΩ

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

FDMS86540
Scheda dati:

FDMS86540 Scheda dati (PDF)
Series:

PowerTrench®
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

60 V
EDA/CAD Modelli:

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FDMS86540 Descrizione generale

The FDMS86540 is a specially engineered N-Channel MOSFET that excels in enhancing efficiency and reducing switch node ringing in DC/DC converters. Ideal for use with synchronous or conventional switching PWM controllers, this MOSFET boasts remarkable characteristics such as low gate charge, low RDS(on), swift switching speed, and exceptional body diode reverse recovery performance. By prioritizing these features, this MOSFET ensures improved overall efficiency and reliability in a variety of applications

Caratteristiche principali

Sophisticated diode technology for improved reliability
Packed with advanced silicon and packaging innovations
Fast switching and low loss performance guaranteed
Efficient thermal management for consistent performance
Robust package design for reliable operation in harsh environments
Compliant with RoHS regulations for environmental safety

Applicazione

Merchant Power
Load Switch

Specifiche

Series	PowerTrench®	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Ta), 50A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4mOhm @ 20A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	90 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6435 pF @ 30 V	Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 96W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	FDMS86

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