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60V, 108A Transistor
DualCool-56-8Produttore:
Onsemi
ProduttorePart #:
FDMS86500DC
Scheda dati:
REACH:
Details
Technology:
Si
Mounting Style:
SMD/SMT
Transistor Polarity:
N-Channel
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The FDMS86500DC N-Channel MOSFET represents a significant technological breakthrough in the realm of power semiconductor devices. Through the integration of advanced Power Trench® and Dual Cool™ package technologies, this MOSFET achieves unmatched levels of on-resistance reduction and switching performance enhancement. Its exceptional thermal management capabilities, coupled with a remarkably low Junction-to-Ambient thermal resistance, make it a standout component for demanding power applications where efficiency and reliability are paramount
Product Category | MOSFET | REACH | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V | Id - Continuous Drain Current | 29 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 2.3 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V | Qg - Gate Charge | 76 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 125 W | Channel Mode | Enhancement |
Series | FDMS86500DC | Configuration | Single |
Height | 1.05 mm | Length | 6 mm |
Product Type | MOSFET | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 2 N-Channel |
Width | 5 mm | Unit Weight | 0.003175 oz |
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