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FDMS8622 +BOM

N-Channel Power Trench® MOSFET 100V, 16.5A, 56mΩ

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

FDMS8622
Scheda dati:

FDMS8622 Scheda dati (PDF)
Series:

PowerTrench®
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

100 V
EDA/CAD Modelli:

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FDMS8622 Descrizione generale

The FDMS8622 is a top-of-the-line N-Channel MOSFET designed for optimal performance and durability. Utilizing the latest Power Trench® technology, this MOSFET boasts impressive efficiency and switching capabilities, making it ideal for a wide range of applications

Caratteristiche principali

Max I_D = 5A at V_GS = 12V
Max r_D(on) = 20mΩ at V_GS = 10V, I_D = 2.3A
Low loss and high speed switching capability
Robust design for improved reliability and thermal management
Fully compliant with AEC-Q101 standard
Operating temperature range -40°C to 150°C

Applicazione

Chase the sun
Dance in the rain
Find your happiness

Specifiche

Series	PowerTrench®	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.8A (Ta), 16.5A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	56mOhm @ 4.8A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	400 pF @ 50 V	Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 31W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	FDMS86

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