Metodo di pagamento
![hsbc](/img/service-policies-hsbc.png)
![paypal](/img/service-policies-paypal.png)
![wu](/img/service-policies-wu.png)
![mg](/img/service-policies-mg.png)
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V
DFN-8Produttore:
onsemi
ProduttorePart #:
FDMS7600AS
Scheda dati:
Technology:
Si
Mounting Style:
SMD/SMT
Transistor Polarity:
N-Channel
Number Of Channels:
2 Channel
EDA/CAD Modelli:
Invia tutte le distinte materiali a
[email protected],
oppure compila il modulo sottostante per un preventivo su FDMS7600AS. Risposta garantita entro
12hr.
Compila il breve modulo sottostante e ti forniremo immediatamente il preventivo.
The FDMS7600AS is a cutting-edge device featuring two specialized N-Channel MOSFETs housed in a dual-MLP package. With the switch node conveniently internally connected, designers can easily set up and route synchronous buck converters for optimal performance. The control MOSFET (Q1) and synchronous SyncFET™ (Q2) have been meticulously engineered to deliver superior power efficiency, making this product a standout choice for energy-conscious applications
Product Category | MOSFET | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
Id - Continuous Drain Current | 30 A, 40 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 7.5 mOhms, 2.8 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.8 V, 1.5 V |
Qg - Gate Charge | 20 nC, 81 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1 W |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | PowerTrench SyncFET |
Series | FDMS7600AS | Configuration | Dual |
Fall Time | 2.3 ns, 5.2 ns | Forward Transconductance - Min | 63 S, 190 S |
Height | 0.8 mm | Length | 6 mm |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 2.5 ns, 7.6 ns |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 2 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 20 ns, 45 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 8.6 ns, 18 ns | Width | 5 mm |
Unit Weight | 0.007443 oz |
Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
Metodo di pagamento
Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:
[email protected]metodo di spedizione
AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..
Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $0,971 | $0,97 |
10+ | $0,951 | $9,51 |
30+ | $0,937 | $28,11 |
100+ | $0,922 | $92,20 |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.
2N2222
Stmicroelectronics
1000+ $0,587
BC547
Onsemi
NPN Epitaxial Silicon Transistor
ULN2003
Onsemi
Versatile device for driving heavy loads and motor
IRF3205
Infineon
TO-220AB Tube Power Transistor with N-Channel Silicon
TAN15
Microchip
The TAN is a robust NPN transistor designed for high-frequency applications, capable of operating at up to V and continuous curren